内蒙古科技大学:在掺杂Ga、低Nd含量钕铁硼磁体中增强Tb扩散效率及扩散过程模拟 发布时间:2024-04-08

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43日,由内蒙古科技大学研究团队(通讯作者:刘艳丽讲师、李永峰教授)关于低钕含量Nd-Fe-B磁体性能提升的成果发表于《Journal of Magnetism and Magnetic Materials》。该研究通过在磁体中首次掺杂镓元素,成功打开了扩散通道,并进一步利用晶界扩散(GBD)技术掺入铽(Tb),从而显著提高了磁体的矫顽力。

研究中,首先,通过粉末冶金方法制备了名义成分为Nd29.5FebalM0.57B0.97Nd29.5FebalM0.57B0.97Ga0.12的烧结磁体。这些磁体被切割成尺寸为Φ10 × 4 mm³的圆柱形状。磁体表面处理:将原始磁体通过线切割法侵蚀,然后在5 mol/L的硝酸溶液中处理120秒,以增强Tb的粘附性。处理后的磁体使用超声波清洗器进行清洗。铽沉积:将样品放置在配备Tb> 99.9 wt.%)靶材的直流磁控溅射系统中。在氩气氛围下,以2 Pa的压力和180 W的溅射功率,对样品的圆形横截面进行3小时的Tb沉积。热处理和扩散:随后,将Tb镀层的原始磁体在850°C下进行5小时的扩散退火,并在高真空条件下(2.0 × 10^-3 Pa)进行500°C3小时的热处理。

实验结果显示,掺杂镓的磁体在经过GBD处理后,矫顽力从816.5 kA/m10.26 kOe)提升至1350 kA/m16.96 kOe),增长了65.3%,而剩磁仅从1.495 T14.95 kGs)轻微下降至1.470 T14.70 kGs)。

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研究团队通过扫描电子显微镜(SEM)和电子探针微分析仪(EPMA)的分析,观察到掺杂镓的磁体显示出更明显和连续的富钕晶界层,这有助于Tb的扩散和分布。此外,Tb的扩散深度得到了改善,能够达到500 μm,这有助于形成均匀的Tb富集层,避免了过厚Tb富集壳层的形成。通过测量热激活作用,研究确认了掺杂镓的磁体中,基质晶粒和富钕晶界之间的各向异性场得到了明显的增强,这是提升矫顽力的主要原因。

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此外,研究团队还利用Comsol Multiphysics软件进行了动态扩散过程的模拟,进一步证实了掺杂镓可以提高Tb在磁体中的扩散系数,从而优化了Tb的分布。

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综上,该研究证实,掺杂镓与Tb扩散的结合是一种有效的方法,用于制造具有高矫顽力和高剩磁的磁体。这种方法不仅提高了Tb的可用性,还减少了因形成过厚Tb富集壳层而导致的剩磁损失。

 

附录信息

 

论文的发表日期:202443

发表的期刊名称:Journal of Magnetism and Magnetic Materials

论文标题:Tb diffusion efficiency enhancement and diffusion simulating by doped Ga in Nd-Fe-B magnet with low Nd content

论文作者:Yanli Liu, Shilin Li, Yuanhong Zhao, Xiangming Ju, Changpeng Wang, Yin Wang, Dongdong Lv, Fei Liu, Weili Chen, Zhubai Li, Yongfeng Li

作者所在的机构名称:Inner Mongolia University of Science and Technology

论文的DOI链接:https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2024.172031


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